Na Mobile Solutions forumu Samsung Electronics je objavio kako je razvio 4Gb LPDDR3 memorijske čipove namijenjene upotrebi u mobilnim uređajima. U odnosu na prethodnu generaciju, ovi čipovi ostvaruju znatno bolje performanse uz 20% nižu potrošnju.

Kako je objavljeno, 4Gb LPDDR3 čipovi dostiži transfer brzine do 1600Mbps. Samsung je objavio i kako će prvi uzorci 4Gb LPDDR3 čipova biti isporučeni u četvrtom kvartalu.

Pored toga, Samsung je predstavio i novi 64GB e-MMC NAND čip, proizveden 20nm tehnologijom izrade. Ovaj čip sa DDR 2.0 interfejsom pri sekvencijalnom čitanju i zapisivanju ostvaruje performanse do 80 i 40 MB/s. Masa čipa je tek 0,6 grama, a debljina 1,4mm, što ga čini primjenjivim u tankim prenosnim uređajima.