Kompanije Samsung i Hynix iskoristile su ISSCC skup za predstavljanje prototipa DDR4 memorijskih modula. Rješenje kompanije Samsung radi na frekvenciji od 2133MHz, uz napon od 1,2V. Korišteni su memorijski čipovi proizvedeni 30nm tehnologijom izrade. Samsung navodi kako će DDR4 memorijski moduli ove kompanije u prosjeku trošiti do 40% manje energije u usporedbi sa standardnim DDR3 memorijskim modulima brzine 1600MHz. Hynix je predstavio nešto brže memorijske module radne frekvencije 2400MHz, koji koriste napon od 1,2V.

Masovna proizvodnja DDR4 memorijskih modula trebala bi započeti krajem godine, a očekuje se da će većina proizvođača odabrati 20nm memorijske čipove, čime će potrošnja i zagrijavanje biti dodatno smanjeno. Ipak, uzimajući u obzir da aktuelni i najavljeni procesor kompanija Intel i AMD ne nude DDR4 podršku, analitičari predviđaju da će DDR3 memorije ostati standard do 2015. godine.